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半导体ETF三连涨近1%,英伟达联手SK海力士设计芯片,长鑫存储推出LPDDR5

来源:undefined  作者:147小编   2023-12-02 阅读:17

半导体ETF三连涨,板块涨幅居前

11月29日,沪深两市早盘窄幅震荡,芯片、半导体等板块涨幅居前,其中半导体ETF(512480)盘中涨超1%,连续三个交易日反弹。东微半导涨超过12%、龙芯中科、天岳先进等涨超6%,韦尔股份(603501)、中微公司(688012)涨超3%,半导体ETF(512480)前十大重仓股多只飘红。

英伟达与SK海力士或将共同设计芯片

据消息,英伟达与SK海力士或将共同设计芯片,并委托台积电生产,HBM4最早或将于2026年开始量产。HBM2023年在DRAM市场收入中的份额预计将超过10%,预计到2027年或将接近20%。

长鑫存储推出LPDDR5系列产品

长鑫存储官网发布消息称,正式推出LPDDR5系列产品,包括12Gb的LPDDR5颗粒,POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。

存储、封装为代表的半导体周期复苏主线

券商研报表示,半导体大厂持续布局先进封装,产业链相关公司有望受益并迎来加速成长。

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看投资段子,轻松一下:

半导体ETF三连涨,板块涨幅居前。估计今天半导体股比婚礼现场还热闹。长鑫存储推出LPDDR5系列产品,听说速度能比你开心还快。

和讯自选股写手

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