中芯集成申请半导体器件及其制备方法专利，提高半导体器件的可靠性

金融界 2024 年 9 月 17 日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号 CN202410827767.5 ，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件，衬底中具有漂移区，漂移区从衬底的顶面延伸至衬底内，衬底上具有场极板和栅极结构，漂移区包括至少两个沿衬底的厚度方向排布的子区域，在任意相邻的两个子区域中，靠近衬底的顶面的一者在垂直于衬底的厚度方向上的宽度更大。如此一来，在垂直于衬底的厚度方向上，漂移区的边缘的电场密度可以向漂移区的中心区域挤压，从而降低漂移区的击穿薄弱点的电场密度，同时抬升漂移区的场板点的电场密度，使得两者的电场更加平衡且降低击穿薄弱点被击穿的可能性，在提高器件的耐压性能的同时，可以避免引起热载流子注入效应，提高了半导体器件的可靠性。相应的，本发明还提供了一种半导体器件的制备方法。

本文源自金融界