金融界2024年10月17日消息，国家知识产权局信息显示，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司取得一项名为“一种叠层结构以及叠层芯片”的专利，授权公告号CN 221841841 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种叠层结构以及叠层芯片，涉及叠层芯片技术领域，叠层结构，包括第一芯片以及第二芯片；第一芯片，包括具有第一表面的第一衬底及形成在第一表面上的第一金属层，第一金属层包括具有两端部的第一线圈以及两个第一引脚，两个第一引脚分别与两端部连接；第二芯片，设于第一金属层上，其中，第二芯片在第一表面上的投影未覆盖住两个第一引脚。本申请可以提供便捷引线焊接的叠层结构以及叠层芯片。
本文源自金融界
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