新存科技申请半导体器件及其制造方法专利，提供一种半导体器件制造的有效方式

金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 118785723 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：形成沿第一方向间隔排布的多个存储单元以及沿第一方向间隔排布的多条第一地址线；每一存储单元与对应的第一地址线耦接且沿第二方向层叠设置；第一方向与第二方向垂直；形成第一材料层；第一材料层覆盖存储单元沿第一方向相对的两侧侧壁以及第一地址线的表面和侧壁；在相邻存储单元之间的间隙中填充第二材料层；去除顶部的部分第二材料层和部分第一材料层，保留下来的第二材料层形成介质层，保留下来的第一材料层形成保护层；保护层至少覆盖存储单元沿第一方向相对的两侧侧壁；去除介质层；在形成有保护层的间隙中，形成隔离结构。

本文源自金融界