中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，避免栅极隔断层损伤导致金属连线结构和栅极短路

金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 118785689 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层、第二介质层、贯穿所述第一介质层的栅极层、隔断所述栅极层的栅极隔断层以及隔断所述栅极隔断层的第一金属层和延伸至栅极隔断层的第二金属层牺牲层位于所述栅极隔断层上方的第二介质层表面第三介质层，位于所述第二介质层表面和牺牲层表面；贯穿所述第三介质层延伸至所述牺牲层中电连接所述第一金属层的金属连线结构、贯穿所述第三介质层和第二介质层电连接所述栅极层的第一接触结构、贯穿所述第三介质层电连接所述第二金属层的第二接触结构。本申请可以避免栅极隔断层损伤导致金属连线结构和栅极短路。

本文源自金融界