中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能

金融界 2024 年 10 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 118782629 A，申请日期为 2023 年 4 月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有沟道叠层结构，沟道叠层结构包括一个或多个在纵向上依次堆叠设置的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，基底上形成有横跨沟道叠层结构的栅极结构，栅极结构覆盖沟道叠层结构的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构两侧的沟道叠层结构中形成第一凹槽；在相邻牺牲层之间的沟道层中，以及基底、与基底相邻的牺牲层之间的沟道层中形成低阻层，低阻层的空穴载流子密度高于沟道层的空穴载流子密度，且第一凹槽露出低阻层的侧壁；在第一凹槽中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层覆盖低阻层的侧壁。源漏掺杂层之间的电阻值整体降低，提高了半导体结构的性能。

本文源自金融界