中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构性能

金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 118824971 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基底；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底中；源漏互连层，位于栅极结构两侧且覆盖源漏掺杂层，源漏互连层与源漏掺杂层电连接，源漏互连层顶面的材料与其内部的材料相同；源漏盖帽层，位于源漏互连层的顶部；保护层，位于源漏互连层和源漏盖帽层之间，保护层与源漏互连层的顶面相接触。本发明的源漏互连层顶面的材料与其内部的材料相同，提高了源漏互连层的质量，而且，由于源漏互连层的顶部覆盖有与其顶面相接触的保护层，保护层能够对源漏互连层起到保护作用，使得源漏互连层不易再被氧化，从而提高了源漏互连层的性能，进而提高了半导体结构的性能。

本文源自金融界