中芯国际申请半导体结构形成方法专利，增大了工艺窗口，减小了对栅极的损耗

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 118841416 A，申请日期为 2023 年 4 月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有若干鳍部，若干鳍部沿第一方向排列，且若干鳍部平行于第二方向，第二方向垂直于第一方向，且第一方向和第二方向平行于衬底表面；在衬底表面、鳍部的侧壁表面和鳍部的顶部表面形成介质层，介质层内具有栅极开口，栅极开口暴露出衬底部分表面、鳍部部分侧壁表面和鳍部的部分顶部表面；在栅极开口内的衬底表面与鳍部表面形成第一功函数层；形成位于栅极开口内且位于相邻鳍部之间的隔断层，隔断层贯穿第一功函数层；在栅极开口内形成位于第一功函数层上的栅极层，栅极层暴露出隔断层顶部表面。所述方法增大了工艺窗口，减小了对栅极的损耗。

本文源自金融界