中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的工作性能

金融界2024年11月1日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 118843307 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括多个存储单元区，存储单元区包括沿第一方向延伸且沿第二方向相邻的子单元区，子单元区包括：位于基底上沿第一方向延伸的第一沟道结构、以及横跨第一沟道结构的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构与第二栅极结构沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布，第一栅极结构与第一沟道结构构成下拉晶体管，第二栅极结构与第一沟道结构构成传输门晶体管；沿第一方向延伸的第二沟道结构、以及横跨第二沟道结构的第三栅极结构，第二沟道结构悬置于下拉晶体管的第一沟道结构上方，第三栅极结构沿第二方向延伸，第三栅极结构与第二沟道结构构成上拉晶体管。本发明提高半导体结构的工作性能。

本文源自金融界