中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低了相邻源漏掺杂层之间产生漏电的风险

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 118841432 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括器件区以及位于相邻器件区之间的隔离区，器件区和隔离区的基底上形成有凸立的第一牺牲层，第一牺牲层上形成有沟道凸起部；去除器件区的第一牺牲层，形成由沟道凸起部底部、隔离区区中的第一牺牲层的侧壁、以及基底的顶部围成的开口；在开口中形成绝缘层，绝缘层位于基底和沟道凸起部之间；形成绝缘层之后，去除隔离区的沟道凸起部和第一牺牲层。降低了相邻源漏掺杂层之间产生漏电的风险，而且绝缘层还能降低源漏掺杂层与后续形成的器件结构(例如栅极结构)之间产生的寄生电容以及栅极结构与基底之间产生的寄生电容，从而提高了半导体结构的性能。

本文源自金融界