中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于获得较为准确的器件特性参数

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 118841441 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括沿第一方向延伸的有源区，有源区沿第一方向包括器件区、以及位于器件区两侧的伪结构区；栅极结构，位于器件区的基底上；伪栅结构，位于伪结构区的基底上；隔断栅结构，包括位于栅极结构端部且沿第一方向延伸的延伸部、以及位于延伸部两端且沿第二方向延伸的凸出部，延伸部沿第一方向延伸至器件区与伪结构区的交界处、并与栅极结构均相连，凸出部位于延伸部背向栅极结构一侧且延伸至有源区的边界，其中，以有源区中，隔断栅结构与凸出部延伸至的有源区的边界围成的区域为第一区，有源区中剩余区域为第二区；体区位于第一区中；源漏掺杂区位于第二区中。本发明有利于获得较为准确的器件特性参数。

本文源自金融界